DLTS Study of Defects in HgCdTe Heterostructure Photodiode
CC-BY
Lưu vào:
Tác giả chính: | Majkowycz, K., Murawski, K., Manyk, T. |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Spanish / Castilian |
Nhà xuất bản: |
Springer
2023
|
Chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-023-10653-x https://dlib.phenikaa-uni.edu.vn/handle/PNK/9516 |
Từ khóa: |
Thêm từ khóa
Không có từ khóa, Hãy là người đầu tiên đánh dấu biểu ghi này!
|
Tài liệu tương tự
-
Photoluminescence Study of As Doped p-type HgCdTe Absorber for Infrared Detectors Operating in the Range up to 8 µm
theo: Murawski, K., và những người khác
Nhà xuất bản: (2023) -
Experimental Determination of the Dependence Between Spectral Response and Current–Voltage Characteristics for MWIR HgCdTe Detectors
theo: Kowalewski, A., và những người khác
Nhà xuất bản: (2023) -
Quantum Dot Heterostructures /
theo: Bimberg, Dieter
Nhà xuất bản: (1988) -
Analysis of Temperature-Dependent Photoluminescence Spectra in Mid-Wavelength Infrared InAs/InAsSb Type-II Superlattice
theo: Murawski, K., và những người khác
Nhà xuất bản: (2023) -
Thermodynamic Evaluation and Optimization of the As–Cd, As–Zn and As–Cd–Zn Systems
theo: Kidari, Oumaima, và những người khác
Nhà xuất bản: (2023)