Photoluminescence Study of As Doped p-type HgCdTe Absorber for Infrared Detectors Operating in the Range up to 8 µm
Cc-BY
Lưu vào:
| Tác giả chính: | Murawski, K., Majkowycz, K., Kopytko, M. |
|---|---|
| Định dạng: | Sách |
| Ngôn ngữ: | English |
| Nhà xuất bản: |
Springer
2023
|
| Chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-023-10516-5 https://dlib.phenikaa-uni.edu.vn/handle/PNK/9515 |
| Từ khóa: |
Thêm từ khóa
Không có từ khóa, Hãy là người đầu tiên đánh dấu biểu ghi này!
|
Tài liệu tương tự
-
DLTS Study of Defects in HgCdTe Heterostructure Photodiode
theo: Majkowycz, K., và những người khác
Nhà xuất bản: (2023) -
Experimental Determination of the Dependence Between Spectral Response and Current–Voltage Characteristics for MWIR HgCdTe Detectors
theo: Kowalewski, A., và những người khác
Nhà xuất bản: (2023) -
Demonstration of T2SLs InAs/InAsSb Based Interband Cascade Detector Supported by Immersion Lens for LWIR
theo: Gawron, Waldemar, và những người khác
Nhà xuất bản: (2023) -
Analysis of Temperature-Dependent Photoluminescence Spectra in Mid-Wavelength Infrared InAs/InAsSb Type-II Superlattice
theo: Murawski, K., và những người khác
Nhà xuất bản: (2023) -
Thermal and microwave-absorbing properties of doped polyaniline–epoxy nanocomposites for stealth applications
theo: Pratap, Vivek, và những người khác
Nhà xuất bản: (2023)
