Hiển thị ở chế độ nhân viên: Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển

Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển

Luận văn giới thiệu về ô xít kim loại bán dẫn và vai trò của chúng trong các thiết bị hiện đại, các phương pháp phổ biến để tổng hợp, chế tạo các màng mỏng ô xít kim loại, đặc biệt là phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển (SALD) có những ưu điểm so với các phương pháp khác. Luậ...

Mô tả chi tiết

Lưu vào:

Hiển thị chi tiết
Tác giả chính:	Nguyên, Thiện Thành
Đồng tác giả:	Nguyễn, Viết Hương
Định dạng:	Luận án
Ngôn ngữ:	Vietnamese
Nhà xuất bản:	Phenikaa University 2024
Chủ đề:	Bán dẫn nano Áp suất khí quyển Phương pháp lắng đọng đơn lớp
Truy cập trực tuyến:	https://dlib.phenikaa-uni.edu.vn/handle/PNK/10666
Từ khóa:	Thêm từ khóa Không có từ khóa, Hãy là người đầu tiên đánh dấu biểu ghi này!

id	oai:localhost:PNK-10666
record_format	dspace
spelling	oai:localhost:PNK-106662024-08-06T02:19:57Z Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển Nguyên, Thiện Thành Nguyễn, Viết Hương Bán dẫn nano Áp suất khí quyển Phương pháp lắng đọng đơn lớp Luận văn giới thiệu về ô xít kim loại bán dẫn và vai trò của chúng trong các thiết bị hiện đại, các phương pháp phổ biến để tổng hợp, chế tạo các màng mỏng ô xít kim loại, đặc biệt là phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển (SALD) có những ưu điểm so với các phương pháp khác. Luận văn đã đưa ra lý thuyết về các chế độ \| tạo màng như CVD, ALD, chế độ lại và ảnh hưởng của các tham số tới quá trình tạo màng (khoảng cách từ đầu phun tới bề mặt đề (dgap), khoảng cách giữa các kênh khí (dsepa), hệ số khuếch tán của tiền chất (D[M], D[0])). Ngoài ra các kết quả thực nghiệm khi chế tạo màng mỏng ô xít thiếc (SnO2) và ô xít kẽm (ZnO) cũng được phân tích bằng các phương pháp khảo sát vật liệu (XRD, UV-Vis,...) và so sánh với các kết quả mô phỏng, lý thuyết 2024-08-06T02:19:57Z 2024-08-06T02:19:57Z 2024 Thesis https://dlib.phenikaa-uni.edu.vn/handle/PNK/10666 vi application/pdf Phenikaa University
institution	Digital Phenikaa
collection	Digital Phenikaa
language	Vietnamese
topic	Bán dẫn nano Áp suất khí quyển Phương pháp lắng đọng đơn lớp
spellingShingle	Bán dẫn nano Áp suất khí quyển Phương pháp lắng đọng đơn lớp Nguyên, Thiện Thành Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển
description	Luận văn giới thiệu về ô xít kim loại bán dẫn và vai trò của chúng trong các thiết bị hiện đại, các phương pháp phổ biến để tổng hợp, chế tạo các màng mỏng ô xít kim loại, đặc biệt là phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển (SALD) có những ưu điểm so với các phương pháp khác. Luận văn đã đưa ra lý thuyết về các chế độ \| tạo màng như CVD, ALD, chế độ lại và ảnh hưởng của các tham số tới quá trình tạo màng (khoảng cách từ đầu phun tới bề mặt đề (dgap), khoảng cách giữa các kênh khí (dsepa), hệ số khuếch tán của tiền chất (D[M], D[0])). Ngoài ra các kết quả thực nghiệm khi chế tạo màng mỏng ô xít thiếc (SnO2) và ô xít kẽm (ZnO) cũng được phân tích bằng các phương pháp khảo sát vật liệu (XRD, UV-Vis,...) và so sánh với các kết quả mô phỏng, lý thuyết
author2	Nguyễn, Viết Hương
author_facet	Nguyễn, Viết Hương Nguyên, Thiện Thành
format	Thesis
author	Nguyên, Thiện Thành
author_sort	Nguyên, Thiện Thành
title	Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển
title_short	Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển
title_full	Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển
title_fullStr	Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển
title_full_unstemmed	Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển
title_sort	phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển
publisher	Phenikaa University
publishDate	2024
url	https://dlib.phenikaa-uni.edu.vn/handle/PNK/10666
_version_	1806667404793610240
score	8.8894005

Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển

Tài liệu tương tự