Cover Image

Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển

Luận văn giới thiệu về ô xít kim loại bán dẫn và vai trò của chúng trong các thiết bị hiện đại, các phương pháp phổ biến để tổng hợp, chế tạo các màng mỏng ô xít kim loại, đặc biệt là phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển (SALD) có những ưu điểm so với các phương pháp khác. Luậ...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Nguyên, Thiện Thành
Other Authors: Nguyễn, Viết Hương
Format: Thesis
Language:Vietnamese
Published: Phenikaa University 2024
Subjects:
Bán dẫn nano
Áp suất khí quyển
Phương pháp lắng đọng đơn lớp
Online Access:https://dlib.phenikaa-uni.edu.vn/handle/PNK/10666
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id oai:localhost:PNK-10666
record_format dspace
spelling oai:localhost:PNK-106662024-08-06T02:19:57Z Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển Nguyên, Thiện Thành Nguyễn, Viết Hương Bán dẫn nano Áp suất khí quyển Phương pháp lắng đọng đơn lớp Luận văn giới thiệu về ô xít kim loại bán dẫn và vai trò của chúng trong các thiết bị hiện đại, các phương pháp phổ biến để tổng hợp, chế tạo các màng mỏng ô xít kim loại, đặc biệt là phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển (SALD) có những ưu điểm so với các phương pháp khác. Luận văn đã đưa ra lý thuyết về các chế độ | tạo màng như CVD, ALD, chế độ lại và ảnh hưởng của các tham số tới quá trình tạo màng (khoảng cách từ đầu phun tới bề mặt đề (dgap), khoảng cách giữa các kênh khí (dsepa), hệ số khuếch tán của tiền chất (D[M], D[0])). Ngoài ra các kết quả thực nghiệm khi chế tạo màng mỏng ô xít thiếc (SnO2) và ô xít kẽm (ZnO) cũng được phân tích bằng các phương pháp khảo sát vật liệu (XRD, UV-Vis,...) và so sánh với các kết quả mô phỏng, lý thuyết 2024-08-06T02:19:57Z 2024-08-06T02:19:57Z 2024 Thesis https://dlib.phenikaa-uni.edu.vn/handle/PNK/10666 vi application/pdf Phenikaa University
institution Digital Phenikaa
collection Digital Phenikaa
language Vietnamese
topic Bán dẫn nano
Áp suất khí quyển
Phương pháp lắng đọng đơn lớp
spellingShingle Bán dẫn nano
Áp suất khí quyển
Phương pháp lắng đọng đơn lớp
Nguyên, Thiện Thành
Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển
description Luận văn giới thiệu về ô xít kim loại bán dẫn và vai trò của chúng trong các thiết bị hiện đại, các phương pháp phổ biến để tổng hợp, chế tạo các màng mỏng ô xít kim loại, đặc biệt là phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển (SALD) có những ưu điểm so với các phương pháp khác. Luận văn đã đưa ra lý thuyết về các chế độ | tạo màng như CVD, ALD, chế độ lại và ảnh hưởng của các tham số tới quá trình tạo màng (khoảng cách từ đầu phun tới bề mặt đề (dgap), khoảng cách giữa các kênh khí (dsepa), hệ số khuếch tán của tiền chất (D[M], D[0])). Ngoài ra các kết quả thực nghiệm khi chế tạo màng mỏng ô xít thiếc (SnO2) và ô xít kẽm (ZnO) cũng được phân tích bằng các phương pháp khảo sát vật liệu (XRD, UV-Vis,...) và so sánh với các kết quả mô phỏng, lý thuyết
author2 Nguyễn, Viết Hương
author_facet Nguyễn, Viết Hương
Nguyên, Thiện Thành
format Thesis
author Nguyên, Thiện Thành
author_sort Nguyên, Thiện Thành
title Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển
title_short Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển
title_full Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển
title_fullStr Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển
title_full_unstemmed Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển
title_sort phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển
publisher Phenikaa University
publishDate 2024
url https://dlib.phenikaa-uni.edu.vn/handle/PNK/10666
_version_ 1806667404793610240
score 8.8894005

Similar Items