Ảnh bìa

Phát triển cảm biến khí dựa trên hệ sợi nano ô xít kim loại chế tạo bằng phương pháp đun tĩnh điện có bề mặt được biến tính bằng công nghệ lắng đọng đơn lớp nguyên tử

Đồ án tốt nghiệp này tập trung vào việc phát triển cảm biến khí dựa trên hệ sợi nano ô xít kim loại, cụ thể là ZnO, được chế tạo bằng phương pháp phun tĩnh điện và bề mặt của chúng được biến tính bằng công nghệ lắng đọng đơn lớp nguyên tử không gian (SALD). Trong quá trình nghiên cứu, các sợi nano Z...

Mô tả chi tiết

Lưu vào:
Hiển thị chi tiết
Tác giả chính: Nguyễn, Anh Quân
Đồng tác giả: Nguyễn, Viết Hương
Định dạng: Study
Ngôn ngữ:Vietnamese
Nhà xuất bản: Phenikaa University 2024
Chủ đề:
Phương pháp đun tĩnh điện
Công nghệ lắng đọng đơn lớp nguyên tử
Truy cập trực tuyến:https://dlib.phenikaa-uni.edu.vn/handle/PNK/11423
Từ khóa: Thêm từ khóa
Không có từ khóa, Hãy là người đầu tiên đánh dấu biểu ghi này!
id oai:localhost:PNK-11423
record_format dspace
spelling oai:localhost:PNK-114232024-12-12T01:42:03Z Phát triển cảm biến khí dựa trên hệ sợi nano ô xít kim loại chế tạo bằng phương pháp đun tĩnh điện có bề mặt được biến tính bằng công nghệ lắng đọng đơn lớp nguyên tử Nguyễn, Anh Quân Nguyễn, Viết Hương Phương pháp đun tĩnh điện Công nghệ lắng đọng đơn lớp nguyên tử Đồ án tốt nghiệp này tập trung vào việc phát triển cảm biến khí dựa trên hệ sợi nano ô xít kim loại, cụ thể là ZnO, được chế tạo bằng phương pháp phun tĩnh điện và bề mặt của chúng được biến tính bằng công nghệ lắng đọng đơn lớp nguyên tử không gian (SALD). Trong quá trình nghiên cứu, các sợi nano ZnO được phủ một lớp mỏng TiO2 bằng ALD với số chu trình khác nhau, nhằm nghiên cứu ảnh hưởng của lớp phủ nano tính chất cảm biến khí NO2. Kết quả nghiên cứu cho thấy, sợi nano ZnO sau khi được xử lý nhiệt có cấu trúc đa tinh thể, kích thước từng sợi khoảng 100 nm, diện tích bề mặt lớn, phù hợp để làm cảm biến khí NO2. Việc sử dụng đèn UV nhằm tăng cường độ nhạy và khả năng giải hấp phụ đã tiết kiệm 6 lần thời gian hồi phục của cảm biến, và tăng độ nhạy lên gấp 6.14 lần (ở 150 °C). Đồ án này quan sát thấy đo cảm biến khí NO2 dựa trên sợi nano ZnO ở nhiệt độ cao 200 °C dẫn tới độ nhạy 23.2 so với 20.5 ở 150 °C. Độ nhạy của cảm biến giảm từ 20.5 xuống còn 3.2 lần. Dù TiO2 chế tạo ở nhiệt độ thấp (100 °C) là vật liệu cách điện, nhưng với chỉ 1.25 nm TiO2, quá trình chuyển đổi điện tử giữa ZnO qua lớp TiO2, sang tương tác với phân tử khí NO2 vẫn có thể xảy ra nhờ hiện tượng xuyên hầm lượng tử. Kết quả là dù độ nhạy giảm, cảm biến có độ lặp lại rất tốt so với không có lớp phủ SALD TiO2. Ngoài ra, do TiO2 là vật liệu rất bền về hóa học, sẽ tăng cường tính chất cho cảm biến dựa trên ZnO, mở ra nhiều cơ hội cho phát triển cảm biến khí dựa trên sợi nano ZnO chế tạo bằng công nghệ phun tĩnh điện, được biến tính bề mặt bằng công nghệ SALD. Tóm lại, việc ứng dụng công nghệ ALD trong việc biến tính bề mặt sợi nano ZnO đã cho thấy hiệu quả trong việc nâng cao tính chất cảm biến khí, mở ra hướng phát triển các thiết bị cảm biến có độ nhạy và độ bền cao. Đồ án này đã cung cấp các kết quả thực nghiệm, góp phần phát triển các cảm biến khí tiên tiến trong tương lai. 2024-12-12T01:42:02Z 2024-12-12T01:42:02Z 2024 Study https://dlib.phenikaa-uni.edu.vn/handle/PNK/11423 vi application/pdf Phenikaa University
institution Digital Phenikaa
collection Digital Phenikaa
language Vietnamese
topic Phương pháp đun tĩnh điện
Công nghệ lắng đọng đơn lớp nguyên tử
spellingShingle Phương pháp đun tĩnh điện
Công nghệ lắng đọng đơn lớp nguyên tử
Nguyễn, Anh Quân
Phát triển cảm biến khí dựa trên hệ sợi nano ô xít kim loại chế tạo bằng phương pháp đun tĩnh điện có bề mặt được biến tính bằng công nghệ lắng đọng đơn lớp nguyên tử
description Đồ án tốt nghiệp này tập trung vào việc phát triển cảm biến khí dựa trên hệ sợi nano ô xít kim loại, cụ thể là ZnO, được chế tạo bằng phương pháp phun tĩnh điện và bề mặt của chúng được biến tính bằng công nghệ lắng đọng đơn lớp nguyên tử không gian (SALD). Trong quá trình nghiên cứu, các sợi nano ZnO được phủ một lớp mỏng TiO2 bằng ALD với số chu trình khác nhau, nhằm nghiên cứu ảnh hưởng của lớp phủ nano tính chất cảm biến khí NO2. Kết quả nghiên cứu cho thấy, sợi nano ZnO sau khi được xử lý nhiệt có cấu trúc đa tinh thể, kích thước từng sợi khoảng 100 nm, diện tích bề mặt lớn, phù hợp để làm cảm biến khí NO2. Việc sử dụng đèn UV nhằm tăng cường độ nhạy và khả năng giải hấp phụ đã tiết kiệm 6 lần thời gian hồi phục của cảm biến, và tăng độ nhạy lên gấp 6.14 lần (ở 150 °C). Đồ án này quan sát thấy đo cảm biến khí NO2 dựa trên sợi nano ZnO ở nhiệt độ cao 200 °C dẫn tới độ nhạy 23.2 so với 20.5 ở 150 °C. Độ nhạy của cảm biến giảm từ 20.5 xuống còn 3.2 lần. Dù TiO2 chế tạo ở nhiệt độ thấp (100 °C) là vật liệu cách điện, nhưng với chỉ 1.25 nm TiO2, quá trình chuyển đổi điện tử giữa ZnO qua lớp TiO2, sang tương tác với phân tử khí NO2 vẫn có thể xảy ra nhờ hiện tượng xuyên hầm lượng tử. Kết quả là dù độ nhạy giảm, cảm biến có độ lặp lại rất tốt so với không có lớp phủ SALD TiO2. Ngoài ra, do TiO2 là vật liệu rất bền về hóa học, sẽ tăng cường tính chất cho cảm biến dựa trên ZnO, mở ra nhiều cơ hội cho phát triển cảm biến khí dựa trên sợi nano ZnO chế tạo bằng công nghệ phun tĩnh điện, được biến tính bề mặt bằng công nghệ SALD. Tóm lại, việc ứng dụng công nghệ ALD trong việc biến tính bề mặt sợi nano ZnO đã cho thấy hiệu quả trong việc nâng cao tính chất cảm biến khí, mở ra hướng phát triển các thiết bị cảm biến có độ nhạy và độ bền cao. Đồ án này đã cung cấp các kết quả thực nghiệm, góp phần phát triển các cảm biến khí tiên tiến trong tương lai.
author2 Nguyễn, Viết Hương
author_facet Nguyễn, Viết Hương
Nguyễn, Anh Quân
format Study
author Nguyễn, Anh Quân
author_sort Nguyễn, Anh Quân
title Phát triển cảm biến khí dựa trên hệ sợi nano ô xít kim loại chế tạo bằng phương pháp đun tĩnh điện có bề mặt được biến tính bằng công nghệ lắng đọng đơn lớp nguyên tử
title_short Phát triển cảm biến khí dựa trên hệ sợi nano ô xít kim loại chế tạo bằng phương pháp đun tĩnh điện có bề mặt được biến tính bằng công nghệ lắng đọng đơn lớp nguyên tử
title_full Phát triển cảm biến khí dựa trên hệ sợi nano ô xít kim loại chế tạo bằng phương pháp đun tĩnh điện có bề mặt được biến tính bằng công nghệ lắng đọng đơn lớp nguyên tử
title_fullStr Phát triển cảm biến khí dựa trên hệ sợi nano ô xít kim loại chế tạo bằng phương pháp đun tĩnh điện có bề mặt được biến tính bằng công nghệ lắng đọng đơn lớp nguyên tử
title_full_unstemmed Phát triển cảm biến khí dựa trên hệ sợi nano ô xít kim loại chế tạo bằng phương pháp đun tĩnh điện có bề mặt được biến tính bằng công nghệ lắng đọng đơn lớp nguyên tử
title_sort phát triển cảm biến khí dựa trên hệ sợi nano ô xít kim loại chế tạo bằng phương pháp đun tĩnh điện có bề mặt được biến tính bằng công nghệ lắng đọng đơn lớp nguyên tử
publisher Phenikaa University
publishDate 2024
url https://dlib.phenikaa-uni.edu.vn/handle/PNK/11423
_version_ 1818263819248467968
score 8.891145

Tài liệu tương tự